Construcción y evaluación eléctrica de transistor efecto de campo base Grafeno (GFET)

Martinez Lopez, Angel Leonardo

Fecha

2020-02-14

Registro en:

Martinez Lopez, Angel Leonardo. (2019). Construcción y evaluación electrica de transistor efecto de campo base Grafeno (GFET) (Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica). Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Unidad Zacatenco, México.

http://tesis.ipn.mx/handle/123456789/27977

https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7132431

Autor

Martinez Lopez, Angel Leonardo

Institución

Instituto Politécnico Nacional (México)

Resumen

RESUMEN: Estudiar el comportamiento eléctrico del transistor de efecto de campo de grafeno (GFET) a temperatura ambiente.

Materias

Estudio

comportamiento

transistor de efecto de campo grafeno

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