Construcción y evaluación eléctrica de transistor efecto de campo base Grafeno (GFET)

dc.contributorJiménez Hernández, Mario
dc.contributorGarcía Pacheco, Georgina
dc.creatorMartinez Lopez, Angel Leonardo
dc.date.accessioned2020-02-26T15:49:38Z
dc.date.accessioned2023-06-28T23:00:33Z
dc.date.available2020-02-26T15:49:38Z
dc.date.available2023-06-28T23:00:33Z
dc.date.created2020-02-26T15:49:38Z
dc.date.issued2020-02-14
dc.identifierMartinez Lopez, Angel Leonardo. (2019). Construcción y evaluación electrica de transistor efecto de campo base Grafeno (GFET) (Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica). Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Unidad Zacatenco, México.
dc.identifierhttp://tesis.ipn.mx/handle/123456789/27977
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7132431
dc.description.abstractRESUMEN: Estudiar el comportamiento eléctrico del transistor de efecto de campo de grafeno (GFET) a temperatura ambiente.
dc.subjectEstudio
dc.subjectcomportamiento
dc.subjecttransistor de efecto de campo grafeno
dc.titleConstrucción y evaluación eléctrica de transistor efecto de campo base Grafeno (GFET)


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