Articulo
Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia
Autor
Concari, Sonia Beatriz
Buitrago, Román Horacio
Cutrera, Miriam
Risso, Gustavo Armando
Battioni, Mario
Institución
Resumen
Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis. Asociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES)