Caracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia

dc.creatorConcari, Sonia Beatriz
dc.creatorBuitrago, Román Horacio
dc.creatorCutrera, Miriam
dc.creatorRisso, Gustavo Armando
dc.creatorBattioni, Mario
dc.date1999
dc.date2023-09-18T17:20:47Z
dc.date.accessioned2024-07-24T03:59:20Z
dc.date.available2024-07-24T03:59:20Z
dc.identifierhttp://sedici.unlp.edu.ar/handle/10915/157788
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/9535916
dc.descriptionSe estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHF-PECVD a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción, espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis.
dc.descriptionAsociación Argentina de Energías Renovables y Medio Ambiente (ASADES)
dc.formatapplication/pdf
dc.languagees
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/
dc.rightsCreative Commons Attribution-NonCommercial-NoDerivatives 4.0 International (CC BY-NC-ND 4.0)
dc.subjectIngeniería
dc.subjectIngeniería Química
dc.subjectsilicio nanocristalino
dc.subjectpropiedades ópticas
dc.subjectpropiedades estructurales
dc.titleCaracterización de silicio nanocristalino obtenido por PECVD de alta frecuencia
dc.typeArticulo
dc.typeArticulo


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