Tese
Caracterizações de filmes finos de titanato de cobalto para aplicação em sistemas memristivos
Registro en:
GÓIS, Meirielle Marques de. Caracterizações de filmes finos de titanato de cobalto para aplicação em sistemas memristivos. 2020. 114 f. Tese (Doutorado em Física) - Universidade Federal de Sergipe, São Cristóvão, 2020.
Autor
Góis, Meirielle Marques de
Institución
Resumen
We investigated thin films of P t/Co0,2T iO3,2/IT O and P t/Co2T i0,7O4−δ/IT O
with different thicknesses using the magnetron sputtering technique, in order to evaluate its application potentials in memristors devices. We used characterizations by X–ray
diffraction (XRD), X–ray reflectometry (XRR), Rutherford backscattering spectrometry
(RBS), X–ray photoelectron spectroscopy (XPS), UV–VIS spectroscopy, electrical and
magnetic analyzes. The systems with low crystallinity structure presented multifunctional performance revealing binary and analog resistive switching properties. The presence
of oxygen vacancies confirmed by XPS and UV–VIS absorption are active agents in the
electrical transport process of filamentary switching and adaptive conductance activity.
Retention tests at high (HRS) and low (LRS) resistance regimes revealed a good ratio
between resistive states, with magnitudes in the order of 104 and 106
. In addition, the
existence of Co2+ and Co3+ ions provided a paramagnetic behavior at 300 K and weak
ferrimagnetism at 5 K, as well as a magnetic effect capable of influencing the electrical
response of the devices. Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPES Investigamos filmes finos de P t/Co0,2T iO3,2/IT O e P t/Co2T i0,7O4−δ/IT O com diferentes espessuras a partir da técnica de magnetron sputtering, com o objetivo de avaliar
seus potenciais de aplicação em dispositivos memristors. Foram utilizadas caracterizações
por difratometria de raios X (DRX), reflectometria de raios X (RRX), espectroscopia de
retroespalhamento Rutherford (RBS), espectroscopia de fotoelétrons por raios X (XPS),
espectroscopia UV–VIS, análises elétricas e magnéticas. Os sistemas com estrutura de
baixa cristalinidade apresentaram desempenho multifuncional revelando propriedades de
comutação resistiva binária e analógica. A presença de vacâncias de oxigênio confirmadas por XPS e absorção UV–VIS são agentes ativos no processo de transporte elétrico da comutação filamentar e na atividade adaptativa da condutância. Testes de retenção nos regimes de alta (HRS) e baixa (LRS) resistência revelaram uma boa razão entre os estados resistivos, com magnitudes na ordem de 104 e 106. Além disso, a existência de íons Co2+ e Co3+ proporcionaram um comportamento paramagnético em 300 K e fraco
ferrimagnetismo em 5 K, assim como um efeito magnético capaz de influenciar na resposta
elétrica dos dispositivos. São Cristóvão