ZrN thin films with 1.6% Si addition were deposited via reactive magnetron sputtering and characterized by RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS and high temperature oxidation tests, aiming to investigate how structurally silicon is inserted in ZrN matrix. GAXRD analyses show a reduction in lattice parameter and grain size due to Si incorporation and XPS analyses demonstrate Si is present in nitride form. Such observations suggest the non-formation of substitutional or interstitial solid solution with ZrN, but the presence of Si3N4, even in low Si concentrations.Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior - CAPESFilmes finos de ZrN com adição de 1,6% de Si foram depositados via magnetron sputtering reativo e caracterizados por RBS, SEM-FEG, GAXRD, XPS e testes de oxidação em alta temperatura, visando investigar como estruturalmente o silício é inserido na matriz de ZrN. As análises GAXRD mostram uma redução no parâmetro de rede e no tamanho de grão devido à incorporação de Si e as análises XPS demonstram que o Si está presente na forma de nitreto. Tais observações sugerem a não formação de solução sólida substitucional ou intersticial com ZrN, mas a presença de Si3N4, mesmo em baixas concentrações de Si.São Cristóvão