Trabalho de Conclusão de Curso (Graduação)Este trabalho tem como foco a aplicação da nanociência no estudo de nanoestruturas de nitreto de índio. O assunto principal da pesquisa são os semicondutores de InN, que são materiais que apresentam várias aplicações na nanoeletrônica em geral. Na realização dos cálculos utilizamos métodos computacionais de primeiros princípios dentro do formalismo da Teoria do Funcional da Densidade (DFT). Para descrever o termo de troca e correlação, foram utilizadas aproximações do gradiente generalizado (GGA) e da densidade local LDA). Também foi usado o código computacional VASP (Vienna Ab initio Package Simulation) e o cluster do Laboratório de Física Computacional (LFC) da Universidade Federal de Uberlândia (UFU). Neste trabalho foram estudadas as propriedades estruturais e eletrônicas, em diferentes tipos de defeitos puntuais, como vacâncias e dopagem de magnésio, para as nanoestruturas de bulk e nanofio de InN. O objetivo final era obter as energias de formação de cada sistema, e verificar quais são mais estáveis. Para o bulk as estuturas que apresentaram maior estabilidade foram a vacância de nitrogênio, e Mg intersticial, ambos materiais tipo n. Para os nanofios, os defeitos que apresentaram menor energia de formação foi Mg substitucional índio, tipo p, e Mg intersticial, tipo n. Porém, o crescimento destas estruturas experimentalmente é complexo, e poucos trabalhos experimentais são encontrados na literatura para comparação dos resultados.