Fabricación y caracterización de transistores MOS-Canal N, basados en película delgada

Abstract

RESUMEN (Introducción): Hoy en día la industria electrónica ha tratado de encontrar ciertos dispositivos que puedan sustituir la tecnología a base de silicio en ciertas áreas específicas de la electrónica, la cual no alcanza a cubrir áreas amplias, tiene altos costos en la fabricación de sus componentes, una alta complejidad de elaboración y poca resistencia mecánica, estos son factores importantes para buscar otras alternativas. De tal modo que uno de los mayores retos es resolver este tipo de problemas. La electrónica de película delgada, permite el desarrollo de tecnologías que pueden resolver estas carestías, con grandes ventajas en comparación a la electrónica a base de silicio. Debido a que pueden cubrir grandes áreas, sus procesos de fabricación no necesitan altas temperaturas y sus propiedades físicas permiten que tengan una resistencia mecánica mucho mayor que la electrónica convencional a base de silicio. De tal modo que para la construcción de transistores en película delgada en este presente proyecto, se hará uso de materiales que tengan como características estas propiedades. De igual forma se realizará la construcción de transistores de película delgada mediante técnicas que permitan temperaturas no tan altas (<110°C) en los procesos de fabricación y, que posibiliten un rendimiento favorable en los dispositivos fabricados. Posteriormente los transistores de película delgada serán caracterizados eléctricamente para comprobar su desempeño y se pueda comprobar las ventajas y desventajas que esta tecnología nos puede brindar, para que en un futuro puedan ser usados en el desarrollo de nuevas tecnologías y construcción de circuitos específicos.