Thesis
Propiedades fotoluminiscentes de GaNxAs1-x
Fecha
2008-11-20Registro en:
Arias Cerón, José Saul. (2006). Propiedades fotoluminiscentes de GaNxAs1-x (Maestría Tecnología Avanzada), Instituto Politécnico Nacional, Centro de Investigación en Ciencia Aplicada y Tecnología Avanzada, Unidad Legaria, México.
Autor
Arias Cerón, José Saul
Institución
Resumen
RESUMEN: En la búsqueda de materiales semiconductores los III-nitruros se han convertido en los sistemas más prometedores para las aplicaciones de dispositivos emisores de luz en la región verde-violeta del espectro, con semiconductores tales como el GaN, GaInN y GaNAs. En esta investigación se han desarrollado estudios sobre la caracterización de películas delgadas ternarias de GaNxAs1-x logrando la incorporación de altas concentraciones de nitrógeno en las películas por medio de la técnica de deposición por erosión catódica, donde se varió la potencia de r.f. La caracterización óptica se realizó con las técnicas de espectroscopia de absorción óptica y fotoluminiscencia a bajas temperaturas. Los estudios estructurales se realizaron con difracción de rayos X (XRD) y espectroscopia de energía dispersiva (EDS). Se ha demostrado que con la técnica de erosión catódica por r.f. se puede variar la incorporación de nitrógeno en el rango del 80%-97% para obtener semiconductores con banda prohibida variable. Y además se reportan aleaciones ternarias de GaNAs en las cuales se puede variar la energía de banda prohibida en el rango de 740nm a 480nm (rojo al azul). ABSTRACT: In the search of semiconductors materials the III-nitrides have become the most promising systems for the development of light emitting devices into the green-violet spectral region, with semiconductors such as GaN, GaInN and GaNAs. In this research we have developed studies on the characterization of GaNxAs1-x ternary thin films, reaching a large amount of nitrogen incorporation in the films using the r.f. sputtering deposition technique, it´s where the r.f. power was the key parameter to change. Optical characterization was accomplished using the optical absorption and low temperature photoluminescence techniques. Structural studies were done by X-ray diffraction and energy dispersive spectroscopy (EDS). We have demonstrated that using r.f. sputtering deposition technique it is possible to obtain film nitrogen incorporation in the range between 80-97% to get semiconductors with variable band-gap energy; we have reported GANAs ternary semiconductor alloys in which it is possible to change the band-gap energy in the range from 740nm to 480nm (red to blue).