Barrier structures were produced using optical contact between the indium and gallium selenides. The effect of mechanical pressure ranging from 0 to 100 kPa on the electrical properties of the GaSe/InSe heterocontacts was investigated. The data was analyzed assuming the SIS (semiconductor – insulator – semiconductor) model. Using this model we were able to explain the current – voltage dependence. It was found that the modification of heteroboundary significantly affects the electric transport.Se formaron estructuras barreras usando contactos ópticos entre dos semiconductores de GaSe y InSe. El efecto de la presión mecánica desde 0 hasta 100 kPa sobre las propiedades eléctricas de los heterocontactos de GaSe/InSe fue investigado. Los resultados son analizados considerando el modelo de semiconductor – aislador – semiconductor. Utilizando este modelo, explicamos las cararterísticas corriente – voltaje. Se encontró que la modificación de heterofrontera afectan significativamente el transporte eléctrico.