Effect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontacts

dc.contributoren-US
dc.contributores-ES
dc.creatorVorobets, M. O.
dc.date2011-01-26
dc.date.accessioned2018-03-16T15:48:20Z
dc.date.available2018-03-16T15:48:20Z
dc.identifierhttp://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/23509
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1202595
dc.descriptionBarrier structures were produced using optical contact between the indium and gallium selenides. The effect of mechanical pressure ranging from 0 to 100 kPa on the electrical properties of the GaSe/InSe heterocontacts was investigated. The data was analyzed assuming the SIS (semiconductor – insulator – semiconductor) model. Using this model we were able to explain the current – voltage dependence. It was found that the modification of heteroboundary significantly affects the electric transport.en-US
dc.descriptionSe formaron estructuras barreras usando contactos ópticos entre dos semiconductores de GaSe y InSe. El efecto de la presión mecánica desde 0 hasta 100 kPa sobre las propiedades eléctricas de los heterocontactos de GaSe/InSe fue investigado. Los resultados son analizados considerando el modelo de semiconductor – aislador – semiconductor. Utilizando este modelo, explicamos las cararterísticas corriente – voltaje. Se encontró que la modificación de heterofrontera afectan significativamente el transporte eléctrico.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherRevista Mexicana de Físicaes-ES
dc.relationhttp://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/23509/22213
dc.sourceRevista Mexicana de Física; Vol 56, No 006 (2010)es-ES
dc.subjectSemiconductors; heterostructures; electrical propertiesen-US
dc.subjectSemiconductores; heteroestructuras; propiedades eléctricases-ES
dc.titleEffect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontactsen-US
dc.titleEffect of pressure on the electrical properties of GaSe/InSe heterocontactses-ES
dc.typeArtículos de revistas
dc.typeArtículos de revistas


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