En este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campo magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 μm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540μT-1.This paper describes an MOS transistor-based transducer used for measuring magnetic fields. The setup, the electric/magnetic characterization, and an equivalent circuit for transistor level simulations are presented. The sensor (also called MAGFET), designed in a 1.5 μm CMOS process, presents a relative magnetic sensitivity Sr=540μT-1 at room temperature.