A 540μT-1 silicon-based MAGFET

A 540μT-1 silicon-based MAGFET

dc.contributores-ES
dc.contributoren-US
dc.creatorSandoval Ibarra, Federico
dc.creatorDávalos Santana, M. A.
dc.creatorMontoya Suárez, E.
dc.date2009-10-05
dc.date.accessioned2018-03-16T15:46:29Z
dc.date.available2018-03-16T15:46:29Z
dc.identifierhttp://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14249
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1202357
dc.descriptionEn este artículo se describe un transductor basado en un transistor MOS para medir campo magnéticos. Se presenta el arreglo experimental, la caracterización eléctrica/magnética, y un circuito equivalente para simulaciones a nivel transistor. El sensor (llamado también MAGFET) diseñado en un proceso CMOS, 1.5 μm, presenta a temperatura ambiente una sensibilidad magnética relativa Sr=540μT-1.es-ES
dc.descriptionThis paper describes an MOS transistor-based transducer used for measuring magnetic fields. The setup, the electric/magnetic characterization, and an equivalent circuit for transistor level simulations are presented. The sensor (also called MAGFET), designed in a 1.5 μm CMOS process, presents a relative magnetic sensitivity Sr=540μT-1 at room temperature.en-US
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherRevista Mexicana de Físicaes-ES
dc.relationhttp://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14249/13586
dc.sourceRevista Mexicana de Física; Vol 53, No 003 (2007)es-ES
dc.subjectDispositivos semiconductores; dispositivos de efecto de campo; microelectrónicaes-ES
dc.subjectSemiconductor devices; field effect devices; microelectronicsen-US
dc.titleA 540μT-1 silicon-based MAGFETen-US
dc.titleA 540μT-1 silicon-based MAGFETes-ES
dc.typeArtículos de revistas
dc.typeArtículos de revistas


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