Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor

Influence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursor

dc.contributores-ES
dc.contributoren-US
dc.creatorCastillo, N.
dc.creatorConde Gallardo, A.
dc.creatorGuerrero, M.
dc.creatorSoto, A. B.
dc.creatorFragoso, R.
dc.date2009-10-05
dc.date.accessioned2018-03-16T15:46:21Z
dc.date.available2018-03-16T15:46:21Z
dc.identifierhttp://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14205
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/1202313
dc.descriptionPelículas de dióxido de titanio fueron depositadas mediante la liberación de un aerosol líquido de diisopropoxido de titanio sobre substratos de silicio orientados (100), y empleando oxígeno y nitrógeno como gases de arrastre. Las propiedades cristalinas y morfológicas indican que el proceso de depósito se lleva a cabo mediante los vapores químicos de los precursores. Esto es fuertemente apoyado por el comportamiento de la taza de crecimiento rg como función de la temperatura de depósito, cuya forma de línea indica que el crecimiento esta gobernado por la difusión de los precursores en fase vapor hacia el substrato y la consecuente reacción de estos en la superficie. Aunque la forma de línea de rg no depende del tipo de gas utilizado en el arrastre del aerosol, el valor absoluto de rg y la energía de activación EA que caracteriza a la reacción superficial si. Un ajuste a una ecuación que toma en cuenta a ambos mecanismos (difusión de vapores y reacción de superficie) da como resultado: EA ≅ 26.4 KJ/mol o EA=21.4 KJ/mol cuando se utiliza oxígeno o nitrógeno como gas de arrastre, respectivamente.es-ES
dc.descriptionTitanium dioxide thin films were deposited on crystalline silicon (100) substrates by delivering a liquid aerosol of titanium-diisopropoxide and by using oxygen and nitrogen as carrier gases. The crystalline and morphological features indicate that the films are deposited by a metal organic chemical vapor deposition process. This is strongly supported by the behavior of the growth rate rg as a function of the deposition temperature, which indicates that the film formation is limited by both, the diffusion in gas phase of the precursor species to the surface substrate and reaction of those species at that surface. Even though the rg line shape does not depend on the kind of carrier gas used to transport the aerosol, its absolute value and the activation energy EA that characterizes the surface reaction do. A fitting procedure to an equation that takes into account both limiting mechanisms (gas phase diffusion and surface reaction) yields: EA ≅ 26.4 KJ/mol or EA=21.4 KJ/mol when oxygen or nitrogen is employed as carrier gas, respectively.en-US
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherRevista Mexicana de Físicaes-ES
dc.relationhttp://ojs.unam.mx/index.php/rmf/article/view/14205/13542
dc.sourceRevista Mexicana de Física; Vol 52, No 005 (2006)es-ES
dc.subjectMecanismos de crecimiento; películas de TiO2; depósito por vapores químicos; rocío porolitícoes-ES
dc.subjectGrowth mechanisms; TiO2 films; metal-organic chemical vapor deposition; spray pyrolysisen-US
dc.titleInfluence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursores-ES
dc.titleInfluence of the carrier gas in the growth kinetics of TiO2 films deposited by aerosol assisted chemical vapor deposition with titanium-diisopropoxide as precursoren-US
dc.typeArtículos de revistas
dc.typeArtículos de revistas


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