Capas delgadas de sulfuro de cadmio, preparadas por baño químico, fueron depositadas sobre sustratos de ITO (oxido de estaño impurificado con indio) con diferentes tiempos de deposito (i.e. espesor) y caracterizadas en su morfología y en su brecha de energía. Las muestras fueron analizadas tanto recién depositadas como después de ser recocidas a las temperaturas de 90 y 150°C, con el objetivo de estudiar la difusión en la interfaz CdS/ITO y sus efectos sobre las propiedades mencionadas. Con ayuda de los perfiles Auger, se determinaron los valores de la difusividad másica de dicha interfaz. El valor inicial rms de la rugosidad superficial medida usando imágenes de fuerza atómica, así como la brecha de energía, se ven reducidos después de los procesos de recocido. Se obtuvieron valores muy pequeños en los coeficientes de difusión, del orden de 10-21 M2/s, para los diferentes elementos analizados en la interfaz.Cadmium sulphide thin films prepared by chemical bath deposition (CBD) were deposited on indium tin oxide (ITO) substrates with different deposition times (i.e. thickness) and characterised by their morphology and band gap energy. Samples were analysed as deposited and after annealing at 90 and 150°C, in order to study the interface diffusion and its effects on the properties mentioned. Auger depth profiles were used to determine the mass diffusivity coefficient in the CdS/ITO interface. The initial surface rms-roughness measured with AFM, as well as the initial band gap energy, are reduced after the annealing process. We obtained very small diffusion coefficient values, around 10-21 m2/s, for the different elements analysed in the interface.