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Mostrando ítems 701-710 de 724
Dependência de exercício físico: efeito do exercício físico agudo realizado em diferentes intensidades no humor de atletas
(Universidade Federal de São Paulo (UNIFESP), 2011-01-26)
Introdução: Hoje em dia existe uma tendência que aponta para uma correlação positiva entre a prática regular de exercícios físicos e estados de saúde física, sugerindo existir um efeito positivo na prevenção de algumas ...
Desarrollo de estrategias analíticas para la extracción y determinación de Sildenafilo y Tadalafilo en muestras de orina
(Universidad de Chile, 2021)
En esta investigación el objetivo principal fue desarrollar y validar estrategias analíticas para la determinación de Sildenafilo (SLD) y Tadalafilo (TAD) de forma individual por Espectrofluorimetría, mediante la extracción ...
Real-time demand response scheduling based on customized online learning of customers considering uncertainty.
(Universidad de Concepción, 2024)
Chilean commercial, public, and residential sector consume 35 % of the electrical energy in the country. Given the continuous economic growth of society, this percentage will increase gradually, as expected. However, Chile ...
Caracterización preliminar del campo eléctrico radiado por rayo en zona tropical montañosa . Caso Manizales (Caldas)
(Universidad Nacional de ColombiaManizales - Ingeniería y Arquitectura - Maestría en Ingeniería - Ingeniería EléctricaDepartamento de Ingeniería Eléctrica y ElectrónicaFacultad de Ingeniería y ArquitecturaManizales, ColombiaUniversidad Nacional de Colombia - Sede Manizales, 2022)
El presente trabajo de tesis contiene la caracterización preliminar de las descargas eléctricas atmosféricas en zona montañosa para la ciudad de Manizales. Para desarrollar dicha caracterización, se diseñó y construyó un ...
Caracterización de sensibilidad y degradación de películas ultra-delgadas de Al2O3 y su aplicación en sensores de estado sólido sensibles a iones
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2013)
Efecto foto-FEM no estacionario en estructuras semi-aislantes de GaAs tipo p-i-n
(Instituto Nacional de Astrofísica, Óptica y Electrónica, 2009)