Buscar
Mostrando ítems 151-160 de 8764
La relación intrínseca entre la descripción del ancho de banda y las propiedades térmicas en semiconductores : el caso del a- Si:H E In2O3
(Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2022)
Característica Intensidad-Voltaje en el contacto metal – semiconductor superconductor
(Universidad Nacional de Trujillo, 2020)
La relación intrínseca entre la descripción del ancho de banda y las propiedades térmicas en semiconductores : el caso del a- Si:H E In2O3
(Pontificia Universidad Católica del PerúPE, 2022)
Aspectos del confinamiento de un electrón con masa dependiente de la posición en un medio semiconductor, y del confinamiento del ion molecular de hidrógeno
(MOLINAR TABARES, MARTIN EDUARDO, 2011)
Aspectos del confinamiento de un electrón con masa dependiente de la posición en un medio semiconductor, y del confinamiento del ion molecular de hidrógeno
(MOLINAR TABARES, MARTIN EDUARDO, 2011)
A 540μT-1 silicon-based MAGFETA 540μT-1 silicon-based MAGFET
(Revista Mexicana de Física, 2009)
Informational-statistical thermodynamics of a dissipative system in a steady state
(Elsevier Science BvAmsterdamHolanda, 1997)
Tellurium and the current technological eraEl telurio en la era tecnológica actual
(Pontificia Universidad Católica del Perú, 2019)
Separating interface state response from parasitic effects in conductance measurements on organic metal-insulator-semiconductor capacitors
(American Institute of Physics (AIP), 2008-03-01)
A simple model is developed for the admittance of a metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitor which includes the effect of a guard ring surrounding the Ohmic contact to the semiconductor. The model predicts most of the ...