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Mostrando ítems 1-10 de 21
Transiciones ópticas de excitones confinados en nanocristales semiconductores de GaSb/GaInAsSb/GaSb
(Universidad Autónoma de Occidente, 2013-01)
El libro presenta un estudio teórico sobre la energía del fotón asociada a transiciones ópticas de excitones confinados en nanocristales formados por heteroestructras semiconductoras de GaSb/GaInAsSb/GaSb. Además, se ...
Ga1- xInxAsySb1- y/GaSb spherical quantum dot in a magnetic field
(2012-12)
Quaternary semiconductor alloys type-I are appropriated materials for heterostructure devices because they provide a natural form to tune the magnitude of the band gap so that it can operate in the mid-infrared (mid-IR) ...
Study of temperature and indium concentration-dependent dielectric constant and electron adffinity effects on the exciton optical transition and binding energy in spherical GaSb-Ga1-xInxAsySb1-y-GaSb quantum dots
(Elsevier, 2010)
Hemos estudiado los estados de excitación de orificios pesados en GaSb – GaInAsSb – GaSb tipo-I Puntos cuánticos esféricos, utilizando constante dieléctrica estática dependiente de la temperatura y afinidad electrónica, ...
Propiedades físicas de nanoestructuras de GaSb para aplicaciones en espintrónica
(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2019-01-20)
En este trabajo se fabricaron películas delgadas nanoestructuradas de GaSb por el método de pulverización catódica asistidas por campo magnético sobre sustratos de vidrio e ITO. Se realizaron procesos de recocido posterior ...
Propiedades electrónicas de un anillo cuántico elíptico con sección transversal rectangular
(Fondo Editorial EIA - Universidad EIA, 2019-01-20)
Los estados electrónicos de un anillo cuántico elíptico de GaAs embebido en una matriz de AlxGa1-xAs son investigados mediante la aproximación de masa efectiva. El anillo cuántico es construido con una sección transversal ...
Monte carlo simulation of epitaxial growth of gainassb films
(Universidad Nacional de Colombia Sede Medellín, 2014-10-24)
Material engineering finds an important support on simulation methods. The study of semiconductors growth techniques through simulation allows the determination of the influence of some growth parameters on the film ...
Temperature dependence of band gap ratio and Q-factor defect mode in a semiconductor quaternary alloy hexagonal photonic-crystal hole slab
(Springer Verlag, 2016-03-10)
We present numerical predictions for the photonic TE-like band gap ratio and the quality factors of symmetric localized defect as a function of the thickness slab and temperature by the use of plane wave expansion and the ...
An evaluation of the state of time synchronization on leadership class supercomputers
(Wiley, 20180225)
We present a detailed examination of time agreement characteristics for nodes within extreme‐scale parallel computers. Using a software tool we introduce in this paper, we quantify attributes of clock skew among nodes in ...
Erratum: Global, regional, and national age-sex-specific mortality for 282 causes of death in 195 countries and territories, 1980–2017: a systematic analysis for the Global Burden of Disease Study 2017
(2018)
GBD 2017 Causes of Death Collaborators. Global, regional, and national age-sex-specific mortality for 282 causes of death in 195 countries and territories, 1980–2017: a systematic analysis for the Global Burden of Disease ...