| dc.contributor | Diniz Neto, Omar de Oliveira | |
| dc.contributor | http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4789477D8 | |
| dc.contributor | Milla, Augusto Miguel Alcalde | |
| dc.contributor | http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4700172J5 | |
| dc.contributor | Armond, Raigna Augusta da Silva Zadra | |
| dc.contributor | http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4791761U7 | |
| dc.contributor | Marques, Gilmar Eugênio | |
| dc.contributor | http://buscatextual.cnpq.br/buscatextual/visualizacv.do?id=K4727630E5 | |
| dc.creator | Diniz, Ginetom Souza | |
| dc.date | 2016-06-22T18:43:14Z | |
| dc.date | 2008-06-24 | |
| dc.date | 2016-06-22T18:43:14Z | |
| dc.date | 2007-06-22 | |
| dc.date.accessioned | 2023-09-28T20:38:44Z | |
| dc.date.available | 2023-09-28T20:38:44Z | |
| dc.identifier | DINIZ, Ginetom Souza. Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores. 2007. 19 f. Dissertação (Mestrado em Ciências Exatas e da Terra) - Universidade Federal de Uberlândia, Uberlândia, 2007. | |
| dc.identifier | https://repositorio.ufu.br/handle/123456789/15680 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/9055502 | |
| dc.description | In this work we present a theoretical study of the spin-orbit coupling upon the electronic
structure of quantum rings and dots. The contribution of Rashba, due to the
structural inversion asymmetry, and the contribution of Dresselhaus, induced by the bulk
inversion asymmetry, common in the III-V semiconductor group materials are included in
the Hamiltonian H0, which describe a single-electron in presence of a magnetic field in the
z-direction. The eigenstates of H0 are used in the calculation of the additional elements
of the Hamiltonian H = H0 + HR + HD, that takes in to account both Rashba (HR) and
Dresselhaus (HD) contribution in the spin-orbit coupling. The eigenvalues and eigenvectors
of H are then calculated through a numerical diagonalization using a truncated base
of eigenstates of H0. The electronic structure calculation were performed in quantum dots
and rings of Indium Arsenate (InAs), which are of actual experimental interesting. These
nanostructures (quantum rings), in general, have average radius (r0), around 30-140nm
and height about d =2-5nm. The Rashba and Dresselhaus contribution induce coupling
among states jn; m; ¾zi following the selection rule ¢m;m0 = §1 and are responsible by
crossings and anticrossings in the electronic spectra, and also by spin state mixing for well
defined magnetic field values, that can be manipulated by external parameters such the
Rashba parameter, Dresselhaus, and ring geometry. Our results allow to determine speci
fic regimes of magnetic field and external parameters to model in a convenient way the
behavior of magneto-optical properties, decoherence process of spin states and electron
g-factor, which are problems of actual interest in the semiconductor physics for spintronic
device applications. | |
| dc.description | Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior | |
| dc.description | Mestre em Física | |
| dc.description | Neste trabalho apresentamos o estudo do efeito do acoplamento spin-órbita na estrutura
eletrônica de pontos e anéis quânticos semicondutores. As contribuições de Rashba,
devido à assimetria da inversão estrutural e de Dresselhaus, causado pela assimetria da
inversão cristalina, comum em alguns materiais semicondutores do grupo III-IV, são introduzidos
na Hamiltoniana H0, que descreve um único elétron em presença de campo magn
ético na direção z. Os autoestados de H0 são usados no cálculo dos elementos adicionais
da nova Hamiltoniana H = H0 +HR +HD, que leva em conta ambas as contribuições de
Rashba HR e Dresselhaus HD no acoplamento spin-órbita. Os autovalores e autovetores
de H são calculados através de um esquema de diagonalização númerica usando uma base
truncada de autoestados de H0. Os cálculos da estrutura eletrônica foram implementados
em pontos e anéis quânticos de Arseneto de Índio (InAs), os quais são de atual interesse
experimental. Estas nanoestruturas, em geral possuem raios médios (r0) em torno de
30-140nm e altura d =2-5nm. As contribuições de Rashba e Dresselhaus induzem acoplamentos
entre estados jn; m; ¾zi seguindo a regra de seleção dada por ¢m;m0 = §1 e são
responsáveis pelo o aparecimento de crossings e anticrossings no espectro eletrônico e
misturas de estados de spin para campos magnéticos bem definidos, que podem ser manipulados
através de parâmetros externos, tais como o parâmetro de Rashba, Dresselhaus
e geometria do anel. Nossos resultados permitem estabelecer regimes de campos magnéticos
e parâmetros de controle externo para modelar convenientemente o comportamento
das propriedades magneto-ópticas, processos de decoerência de estados de spin e o fator-g
do elétron, os quais são problemas de forte interesse na atual física de semicondutores
para aplicação em dispositivos spintrônicos. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.format | application/zip | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.format | application/octet-stream | |
| dc.language | por | |
| dc.publisher | Universidade Federal de Uberlândia | |
| dc.publisher | BR | |
| dc.publisher | Programa de Pós-graduação em Física | |
| dc.publisher | Ciências Exatas e da Terra | |
| dc.publisher | UFU | |
| dc.rights | Acesso Aberto | |
| dc.subject | Anéis quânticos | |
| dc.subject | Acoplamento spin-órbita | |
| dc.subject | Efeito rashba | |
| dc.subject | Efeito dresselhaus | |
| dc.subject | Quantum rings | |
| dc.subject | Spin-orbit coupling | |
| dc.subject | Rashba effect | |
| dc.subject | Dresselhaus effect | |
| dc.subject | CNPQ::CIENCIAS EXATAS E DA TERRA::FISICA | |
| dc.title | Efeitos de interação spin-órbita em anéis quânticos semicondutores | |
| dc.type | Dissertação | |
