Disserta????o
Caracteriza????o de filmes finos de TiOsub(2) obtidos por deposi????o qu??mica em fase vapor
Characterization of TiOsub(2)thin films obtained by metal-organic chemical vapour deposition
Registro en:
10.11606/D.85.2015.tde-02042015-101635
Autor
CARRIEL, RODRIGO C.
Resumen
Filmes finos de TiO2 foram crescidos sobre sil??cio (100) atrav??s do processo de deposi????o qu??mica de organomet??licos em fase vapor (MOCVD). Os filmes foram crescidos a 400, 500, 600 e 700??C em um equipamento horizontal tradicional. Tetraisoprop??xido de tit??nio foi utilizado como fonte tanto de tit??nio como de oxig??nio. Nitrog??nio foi utilizado como g??s de arraste e como g??s de purga. Foram realizadas an??lises de difra????o de raios-x para a caracteriza????o da estrutura cristalina. Microscopia eletr??nica de varredura com canh??o de emiss??o de campo foi utilizada para a avalia????o da morfologia e da espessura dos filmes. Os filmes de TiO2 crescidos a 400 e a 500??C apresentaram fase anatase. O filme crescido a 600??C apresentou as fases anatase e rutilo, enquanto que o filme crescido a 700??C apresentou, al??m de anatase e rutilo, a fase broquita. Para se avaliar o comportamento eletroqu??mico dos filmes foi utilizada a t??cnica de voltametria c??clica. Os testes indicaram um forte car??ter capacitivo dos filmes de TiO2. O pico de corrente an??dica ?? diretamente proporcional ?? raiz quadrada da velocidade de varredura para os filmes crescidos a 500??C, sugerindo que o mecanismo predominante de transporte de c??tions seja por difus??o linear. Observou-se que o filme crescido por 60 minutos permitiu maior facilidade de intercala????o e desintercala????o de ??ons Na+. Os filmes crescidos nas demais condi????es n??o apresentaram pico de corrente an??dica, embora o ac??mulo de cargas se fizesse presente. Disserta????o (Mestrado em Tecnologia Nuclear) IPEN/D Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP