Study of the doppler broadening of positron annihilation radiation in silicon

Artigo de peri??dico

Registro en:

0103-9733

http://repositorio.ipen.br/handle/123456789/7642

3B

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https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8978592

Autor

NASCIMENTO, E.

HELENE, O.

VANIN, V.R.

MORALLES, M.

Institución

Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares (Brasil)

Materias

doppler broadening

ge semiconductor detectors

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