Efecto rígido confinado cuántico en las propiedades ópticas lineales y no lineales de los puntos cuánticos alargados y semi oblatos de SiGe/Si cultivados en una capa humectante de Si

dc.contributorvarsha.yadav610@gmail.com; mohamedkria1@gmail.com; jawadelhamdaoui11@gmail.com; lperez@uta.cl; vprasad@ss.du.ac.in; md.yadri@gmail.com; dlarozen@uta.cl; e.feddi@um5s.net.ma
dc.contributorFONDECYT [1180905]; Centers of Excellence with BASAL/CONICYT [AFB180001]
dc.contributorPérez, Laura M https://orcid.org/0000-0002-2915-309X
dc.contributorFeddi, El mustapha https://orcid.org/0000-0001-6641-3623
dc.contributorPrasad, Vinod https://orcid.org/0000-0002-0154-3221
dc.contributorLaroze, David https://orcid.org/0000-0002-6487-8096
dc.contributorVarsha https://orcid.org/0000-0002-6607-1966
dc.contributorEl-Yadri, Mohamed https://orcid.org/0000-0002-9059-5882
dc.contributorEl Hamdaoui, Jawad https://orcid.org/0000-0003-3650-7519
dc.creatorVarsha
dc.creatorKria, Mohamed
dc.creatorEl Hamdaoui, Jawad
dc.creatorPerez, Laura M.
dc.creatorPrasad, Vinod
dc.creatorEl-Yadri, Mohamed
dc.creatorLaroze, David
dc.creatorFeddi, El mustapha
dc.date2023-04-18T01:49:06Z
dc.date2023-04-18T01:49:06Z
dc.date2021
dc.date.accessioned2023-09-27T20:20:41Z
dc.date.available2023-09-27T20:20:41Z
dc.identifierhttps://repositorio.uta.cl/xmlui/handle/20.500.14396/2371
dc.identifier2079-4991
dc.identifier10.3390/nano11061513
dc.identifierSY7BG
dc.identifier34201009
dc.identifierWOS:000666038200001
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8943659
dc.descriptionWe have studied the parallel and perpendicular electric field effects on the system of SiGe prolate and oblate quantum dots numerically, taking into account the wetting layer and quantum dot size effects. Using the effective-mass approximation in the two bands model, we computationally calculated the extensive variation of dipole matrix (DM) elements, bandgap and non-linear optical properties, including absorption coefficients, refractive index changes, second harmonic generation and third harmonic generation as a function of the electric field, wetting layer size and the size of the quantum dot. The redshift is observed for the non-linear optical properties with the increasing electric field and an increase in wetting layer thickness. The sensitivity to the electric field toward the shape of the quantum dot is also observed. This study is resourceful for all the researchers as it provides a pragmatic model by considering oblate and prolate shaped quantum dots by explaining the optical and electronic properties precisely, as a consequence of the confined stark shift and wetting layer.
dc.descriptionHemos estudiado numéricamente los efectos del campo eléctrico paralelo y perpendicular en el sistema de puntos cuánticos alargados y achatados de SiGe, teniendo en cuenta los efectos de la capa de humectación y el tamaño del punto cuántico. Usando la aproximación de masa efectiva en el modelo de dos bandas, calculamos computacionalmente la variación extensiva de los elementos de la matriz dipolar (DM), la brecha de banda y las propiedades ópticas no lineales, incluidos los coeficientes de absorción, los cambios en el índice de refracción, la generación del segundo armónico y la generación del tercer armónico como una función del campo eléctrico, el tamaño de la capa humectante y el tamaño del punto cuántico. El corrimiento al rojo se observa para las propiedades ópticas no lineales con el aumento del campo eléctrico y un aumento en el espesor de la capa humectante. También se observa la sensibilidad al campo eléctrico hacia la forma del punto cuántico. Este estudio es ingenioso para todos los investigadores, ya que proporciona un modelo pragmático al considerar los puntos cuánticos de forma achatada y alargada al explicar las propiedades ópticas y electrónicas con precisión, como consecuencia del cambio marcado confinado y la capa de humectación.
dc.formatapplication/pdf
dc.format23 páginas
dc.languageEnglish
dc.publisherMDPI
dc.relationNanomaterials, vol.11 no.6 (2021)
dc.relationhttps://doi.org/10.3390/nano11061513
dc.rightsGreen Published, gold
dc.rightsAcceso abierto
dc.sourceNanomaterials
dc.subjectProlate Quantum Dot (Qd)
dc.subjectOblate Quantum Dot (Qd)
dc.subjectAbsorption Coefficient (Ac)
dc.subjectSecond Harmonic Generation (Shg)
dc.subjectElectric Field
dc.subject2nd-Harmonic Generation
dc.subjectElectric-Field
dc.subjectStates
dc.subjectHeterostructure
dc.subjectCondensation
dc.subjectTemperature
dc.subjectTransitions
dc.subjectFabrication
dc.subjectImpurities
dc.subjectResponses
dc.subjectPunto Cuántico Prolato (Qd)
dc.subjectPunto Cuántico Oblato (Qd)
dc.subjectCoeficiente de Absorción (Ac)
dc.subjectGeneración de Segundo Armónico (Shg)
dc.subjectCampo Eléctrico
dc.subjectGeneración de 2º Armónico
dc.subjectCampo Eléctrico
dc.subjectEstados
dc.subjectHeteroestructura
dc.subjectCondensación
dc.subjectTemperatura
dc.subjectTransiciones
dc.subjectFabricación
dc.subjectImpurezas
dc.subjectRespuestas
dc.titleQuantum Confined Stark Effect on the Linear and Nonlinear Optical Properties of SiGe/Si Semi Oblate and Prolate Quantum Dots Grown in Si Wetting Layer
dc.titleEfecto rígido confinado cuántico en las propiedades ópticas lineales y no lineales de los puntos cuánticos alargados y semi oblatos de SiGe/Si cultivados en una capa humectante de Si
dc.typeArtículo de revista


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