Shallow Donor Impurity States with Excitonic Contribution in GaAs/AlGaAs and CdTe/CdSe Truncated Conical Quantum Dots under Applied Magnetic Field

Estados de impurezas donantes superficiales con contribución excitónica en puntos cuánticos cónicos truncados de GaAs/AlGaAs y CdTe/CdSe bajo un campo magnético aplicado

dc.contributordavid.laroze@gmail.com; radu@physics.pub.ro; ekasap@cumhuriyet.edu.tr; rrestre@gmail.com
dc.contributorCenters of Excellence with BASAL/ CONICYT financing [AFB180001]; El Patrimonio Autonomo Fondo Nacional de Financiamiento para la Ciencia, la Tecnologia y la Innovacion Francisco Jose de Caldas [CD 111580863338, FP80740-173-2019]
dc.contributorLaroze, David https://orcid.org/0000-0002-6487-8096
dc.contributorArango, Ricardo Leon Restrepo https://orcid.org/0000-0002-0359-353X
dc.contributorDuque, Carlos https://orcid.org/0000-0003-3382-2783
dc.contributorGil-Corrales, John A. https://orcid.org/0000-0001-8666-688X
dc.contributorKasapoglu, Esin https://orcid.org/0000-0002-0893-9210
dc.contributorMorales, Alvaro L. https://orcid.org/0000-0002-4004-1726
dc.contributorRadu, Adrian https://orcid.org/0000-0002-2292-2976
dc.creatorPulgar-Velasquez, Lorenz
dc.creatorSierra-Ortega, Jose
dc.creatorVinasco, Juan A.
dc.creatorLaroze, David
dc.creatorRadu, Adrian
dc.creatorKasapoglu, Esin
dc.creatorRestrepo, Ricardo L.
dc.creatorGil-Corrales, John A.
dc.creatorMorales, Alvaro L.
dc.creatorDuque, Carlos A.
dc.date2023-04-18T01:54:14Z
dc.date2023-04-18T01:54:14Z
dc.date2021
dc.date.accessioned2023-09-27T20:20:20Z
dc.date.available2023-09-27T20:20:20Z
dc.identifierhttps://repositorio.uta.cl/xmlui/handle/20.500.14396/2707
dc.identifier2079-4991
dc.identifier10.3390/nano11112832
dc.identifierXH0SK
dc.identifier34835595
dc.identifierWOS:000725153100001
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8943494
dc.descriptionUsing the effective mass approximation in a parabolic two-band model, we studied the effects of the geometrical parameters, on the electron and hole states, in two truncated conical quantum dots: (i) GaAs-(Ga,Al)As in the presence of a shallow donor impurity and under an applied magnetic field and (ii) CdSe-CdTe core-shell type-II quantum dot. For the first system, the impurity position and the applied magnetic field direction were chosen to preserve the system's azimuthal symmetry. The finite element method obtains the solution of the Schrodinger equations for electron or hole with or without impurity with an adaptive discretization of a triangular mesh. The interaction of the electron and hole states is calculated in a first-order perturbative approximation. This study shows that the magnetic field and donor impurities are relevant factors in the optoelectronic properties of conical quantum dots. Additionally, for the CdSe-CdTe quantum dot, where, again, the axial symmetry is preserved, a switch between direct and indirect exciton is possible to be controlled through geometry.
dc.descriptionUsando la aproximación de masa efectiva en un modelo parabólico de dos bandas, estudiamos los efectos de los parámetros geométricos, en los estados de electrones y huecos, en dos puntos cuánticos cónicos truncados: (i) GaAs-(Ga,Al)As en presencia de una impureza donante superficial y bajo un campo magnético aplicado y (ii) CdSe-CdTe core-shell type-II quantum dot. Para el primer sistema, la posición de la impureza y la dirección del campo magnético aplicado se eligieron para preservar la simetría azimutal del sistema. El método de elementos finitos obtiene la solución de las ecuaciones de Schrödinger para electrón o hueco con o sin impureza con una discretización adaptativa de una malla triangular. La interacción de los estados del electrón y del hueco se calcula en una aproximación perturbativa de primer orden. Este estudio muestra que el campo magnético y las impurezas del donante son factores relevantes en las propiedades optoelectrónicas de los puntos cuánticos cónicos. Además, para el punto cuántico CdSe-CdTe, donde, nuevamente, se conserva la simetría axial, es posible controlar un cambio entre excitón directo e indirecto a través de la geometría.
dc.formatapplication/pdf
dc.format19 páginas
dc.languageEnglish
dc.publisherMDPI
dc.relationNanomaterials, vol.11 no.11 (2021)
dc.relationhttps://doi.org/10.3390/nano11112832
dc.rightsgold, Green Published
dc.rightsAcceso abierto
dc.sourceNanomaterials
dc.subjectTruncated Conical Quantum Dots
dc.subjectExciton States
dc.subjectDonor-Impurity States
dc.subjectApplied Magnetic Field
dc.subjectType Ii Quantum Dots
dc.subjectHydrostatic-Pressure
dc.subjectEnergy-Levels
dc.subjectWell
dc.subjectTransitions
dc.subjectNanowire
dc.subjectPuntos Cuánticos Troncocónicos
dc.subjectEstados Excitónicos
dc.subjectEstados Donante-Impureza
dc.subjectCampo Magnético Aplicado
dc.subjectPuntos Cuánticos de Tipo Ii
dc.subjectPresión Hidrostática
dc.subjectNiveles de Energía
dc.subjectPozo
dc.subjectTransiciones
dc.subjectNanocable
dc.titleShallow Donor Impurity States with Excitonic Contribution in GaAs/AlGaAs and CdTe/CdSe Truncated Conical Quantum Dots under Applied Magnetic Field
dc.titleEstados de impurezas donantes superficiales con contribución excitónica en puntos cuánticos cónicos truncados de GaAs/AlGaAs y CdTe/CdSe bajo un campo magnético aplicado
dc.typeArtículo de revista


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