| dc.contributor | Riveros Patroni, Gonzalo (Director de tesis) | |
| dc.creator | Garmendia Olivares, Amelia | |
| dc.date | 2023-08-22T17:50:16Z | |
| dc.date | 2023-08-22T17:50:16Z | |
| dc.date | 2013 | |
| dc.date.accessioned | 2023-09-22T21:34:32Z | |
| dc.date.available | 2023-09-22T21:34:32Z | |
| dc.identifier | Garmendia, A. (2013). Electrodeposición y caracterización de óxidos de cobre, indio y hierro en dimetil sulfóxido (Tesis de pregrado). Universidad de Valparaíso, Valparaíso, Chile. | |
| dc.identifier | https://repositoriobibliotecas.uv.cl/handle/uvscl/12619 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/8803708 | |
| dc.description | En este trabajo se realizó la electrodeposición y caracterización de óxidos
metálicos M⁽ᴵ⁾₂O (Mᴵ = Cu) y M⁽ᴵᴵᴵ⁾₂O₃(Mᴵᴵᴵ= Fe, In) desde soluciones de Cu(ClO₄)₂, InCl₃ y FeCl₃ sobre un sustrato de FTO, utilizando un solvente no acuoso DMSO (Dimetil- sulfóxido) y como precursor oxígeno molecular. La obtención de estos óxidos genera expectativas sobre la obtención de semiconductores transparentes del tipo-p con estructura delafosita CuM⁽ᴵᴵᴵ⁾O₂ (M⁽ᴵᴵᴵ⁾= In, Fe), desde soluciones de DMSO por métodos electroquímicos. Lo anterior basado en que se lograron obtener películas finas por electrodeposición, las cuales son cristalinas en los casos de Cu₂O y Fe₂O₃, este último sólo con tratamiento térmico. Los valores de band gap para ambos materiales concuerdan con los registrados en la bibliografía, donde los valores obtenidos para las películas de Cu₂O son de transición directa alrededor de 2.25 eV y los obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ para transición directa 2.08 eV e indirecta 2.15 eV. El valor de nivel de dopaje en las películas de Cu₂O a 50ºC es de 8.2x10¹⁸ cm³ y para las obtenidas a 80ºC son de 2.0x10¹⁹ cm ³. El valor de portadores mayoritarios donantes de carga obtenidos para las películas de α-Fe₂O₃ son de 1.59 x 10¹⁹ cm³.
En el caso del In₂O₃, las películas formadas fueron extremadamente delgadas, por lo que no se logró una buena caracterización estructural, óptica y electroquímica. | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | es | |
| dc.publisher | Universidad de Valparaíso | |
| dc.subject | ELECTRODEPOSICION | |
| dc.subject | OXIDOS | |
| dc.subject | SEMICONDUCTORES | |
| dc.title | Electrodeposición y caracterización de óxidos de cobre, indio y hierro en dimetil sulfóxido | |
| dc.type | Tesis | |
