Trabajo de grado - Maestr?a
Elaboraci?n y caracterizaci?n de silicio poroso mediante ataque electroqu?mico
Autor
Rosas D?az, Harold Rolando
Institución
Resumen
103 p. Recurso Electr?nico Se presenta un sistema para la elaboraci?n de silicio poroso tipo P y tipo N utilizando la t?cnica de ataque electroqu?mico con tiempos de ataque que var?an desde los 15 hasta los 120 minutos, tambi?n se varia la distancia entre los electrodos y la densidad de corriente, estas muestras son caracterizadas con las t?cnicas: microscopia ?ptica, microscopia electr?nica de barrido, microscopia de fuerza at?mica, luminiscencia, rayos-X, Espectroscopia Raman, T?cnica Fotoac?stica, adem?s se hace un an?lisis de la curva corriente contra voltaje durante el proceso de elaboraci?n. Dentro de los resultados obtenidos se observa una uniformidad en los poros cuyos di?metros est?n en el orden de los nan?metros y su profundidad depende del tiempo de ataque y densidad de corriente usada. Las muestras de silicio tipo P y las de silicio tipo N presentan luminiscencia, las muestras evidencian estar compuestas de silicio, oxido de silicio y fl?or. Con la caracterizaci?n t?rmica hallamos para la capa porosa los valores de efusividad t?rmica, difusividad t?rmica, conductividad t?rmica y calor espec?fico. Present a system for the preparation of porous silicon P type and N type using electrochemical etching technique with attack times ranging from 15 to 120 minutes, the distance between the electrodes and the current density also varies, these samples are characterized with techniques: optical microscopy, scanning electron microscopy, atomic force microscopy, luminescence, Raman spectroscopy, X-ray, Photoacoustic Technique, plus an analysis of current versus voltage curve during processing is done. A result within the uniformity in the pores with diameters in the order of nanometers and the depth depends on the attack time and current density used is observed. Samples P-type silicon and N-type silicon luminesce, samples evidenced be composed of silicon, silicon oxide and fluorine. The thermal characterization found for the porous layer thermal effusivity values, thermal diffusivity, specific heat and thermal conductivity.
Key Words: Semiconductor, porous Silicon, assault electrochemical, hydrofluoric acid