bachelorThesis
Exploración de dispositivos MOSFET usando COMSOL multiphysics
Registro en:
Tesis (Ingeniero Electrónico), Universidad San Francisco de Quito, Colegio de Ciencias e Ingeniería Politécnico; Quito, Ecuador, 2012.
Autor
Bustamante Guevara, José
Institución
Resumen
In this work, we use the simulator COMSOL Multiphysics to model three types
of MOSFETs: bulk channel, DG-MOSFET and SOI-MOSFET. We present an
introduction to semiconductor theory. Next we nd the characteristic curves
from the MOSFET model provided by COMSOL Multyphysics and we compare
the results with the MOSFET theory.Finally we develop 3 novel models DGMOSFET,
PD-SOI-MOSFET y FS-SOI-MOSFET. We nd the characteristics
of the SOI-MOSFET and we obtain that the dependence of the threshold voltage
on the back gate voltage is linear, as reported in the literature. En este trabajo usamos el simulador COMSOL Multiphysics para simular tres
tipos de MOSFET: de canal regular, DG-MOSFET y SOI-MOSFET. Hacemos
una introducci on a la teor a de semiconductores. Posteriormente caracterizamos
el modelo de MOSFET proporcionado por COMSOL Multiphysics y comparamos
los resultados con la teor a del dispositivo. Finalmente desarollamos dos
tres modelos originales: DG-MOSFET, PD-SOI-MOSFET y FS-SOI-MOSFET.
Caracterizamos los modelos de SOI-MOSFET y comprobamos que el voltaje de
umbral depende de la compuerta posterior de manera lineal. Este resultado es
similar a resultados experimentales.