Fabrication and characterization of un-cooled micro-bolometers based on silicon germanium thin films obtained by low frequency plasma deposition

dc.creatorMARIO MORENO MORENO
dc.creatorANDREY KOSAREV
dc.creatorALFONSO TORRES JACOME
dc.date2007-10-08
dc.date.accessioned2023-07-25T16:22:38Z
dc.date.available2023-07-25T16:22:38Z
dc.identifierhttp://inaoe.repositorioinstitucional.mx/jspui/handle/1009/908
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7806108
dc.descriptionWe report the study of a fabrication process and characterization of un-cooled micro-bolometers based on silicon germanium thin films deposited by low frequency PE CVD technique at low temperature and fully compatible with the IC fabrication technology. Surface micromachining techniques were used for the micro-bolometer fabrication onto a silicon wafer. The a-SixGe1-x:H thermo-sensing film used in those devices have shown high activation energy providing high thermal coefficient of resistance and improved but still high resistance. We studied the effect on the electrical properties of the device when boron is incorporated in the a-SixGe1-x:H film. The temperature dependence of conductivity ¾(T), current-voltage characteristics I(U) and noise spectral density have been measured in order to characterize and compare the performance of micro-bolometers with both types of films: a-SixGe1-x:H and a-GexBySiz:H.
dc.descriptionEn este trabajo se reporta el estudio del proceso de fabricación y caracterización de micro-bolómetros no enfriados basados en películas delgadas de silicio germanio depositadas por medio de la técnica PE CVD a baja frecuencia, baja temperatura y completamente compatibles con la fabricación de CI’s. Se usaron técnicas de micro-maquinado superficial para la fabricación de los micro-bolómetros sobre obleas de silicio. La película termo-sensora de a-SixGe1-x:H usada en estos dispositivos ha mostrado alta energía de activación, dando un alto coeficiente térmico de resistencia y una mejorada pero alta resistencia. Se estudió el efecto en las propiedades del dispositivo cuando boro es incorporado en la película a-SixGe1-x:H. Se midió la dependencia de la conductividad con la temperatura, las características corriente voltaje I(U) y la densidad espectral de ruido, con el objetivo de caracterizar y comparar el rendimiento de los micro-bolómetros con los dos tipos de películas: a-SixGe1-x:H y a-GexBySiz:H.
dc.formatapplication/pdf
dc.languageeng
dc.publisherREVISTA MEXICANA DE FÍSICA
dc.relationcitation:M. Moreno
dc.relationcitation:A. Kosarev
dc.relationcitation:A. Torres
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Germanium/Germanium
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Plasma enhanced chemical vapor deposition/Plasma enhanced chemical vapor deposition
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/IR detectors/IR detectors
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Germanio/Germanio
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Depósito químico en fase vapor asistido por plasma/Depósito químico en fase vapor asistido por plasma
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/Detectores infrarojos/Detectores infrarojos
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/1
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/22
dc.subjectinfo:eu-repo/classification/cti/2203
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dc.titleFabrication and characterization of un-cooled micro-bolometers based on silicon germanium thin films obtained by low frequency plasma deposition
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/acceptedVersion
dc.audiencestudents
dc.audienceresearchers
dc.audiencegeneralPublic


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