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Estudio de las características electrónicas de las películas de a-SiGe:H y pm-SiGe:H depositadas por plasma sobre sustratos de plástico
Autor
CARLOS ALBERTO OSPINA OCAMPO
Resumen
El principal objetivo del presente trabajo es estudiar y analizar las propiedades eléctricas, ópticas y morfológicas en películas delgadas de y cuando (fase gaseosa) fabricadas a diferentes temperaturas y sobre distintos sustratos, incluyendo sustratos plásticos.
En cada proceso de fabricación se incluyeron los sustratos PEN DuPont Teijin TEONEX Q51, teflón DuPont PTFE, Polyimide DuPont Kapton, Corning glass 1737 y silicio <100> tipo P.
Diferentes métodos de caracterización se utilizan tales como: Espectroscopía en el rango del infrarrojo cercano (NIR) (mediciones de transmitancia) , dependencias de temperatura de conductividad oscura , mediciones de fotoconductividad , espectroscopía por medio de la transformada de Fourier para analizar los enlaces químicos y la determinación de líneas de absorción y finalmente caracterización de la rugosidad superficial por microscopía de fuerza atómica AFM.
De las mediciones realizadas una serie de parámetros se calculan: gap óptico , Energía de Urbach , coeficiente de absorción , conductividad a temperatura ambiente , energía de activación , altura promedio de grano , diámetro promedio de grano , fotoconductividad , entre otros.
Los parámetros se analizan principalmente en función de las distintas temperaturas de depósito para todas las muestras. Se encontraron correlaciones entre los parámetros de fabricación y los parámetros eléctricos, morfológicos y ópticos.
Teorías analíticas que explican el comportamiento de los principales parámetros de transporte para materiales amorfos, así como la teoría estadística en el caso de la morfología se aplicaron al análisis del comportamiento observado en los resultados de este trabajo. Finalmente se presentan las conclusiones.
Materias
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