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Growth Carbon Nitride thin films by pulsed laser deposition
Crecimiento de películas delgadas de Nitruro de Carbono por deposición con láser pulsado
Registro en:
Scientia et Technica Año XIII, No. 36 (Septiembre 2007)
0122-1701
Autor
Riascos Landázuri, Henry
Franco Arias, Lina María
Pérez Taborda, Jaime Andrés
Institución
Resumen
Hemos crecido películas delgadas de nitruro de carbono (CNx) mediante el Deposición por Láser Pulsado (DLP), usando como blanco grafito de alta pureza y como substrato silicio. Las películas fueron crecidas en un ambiente de gas de
nitrógeno, variando la presión del gas, para dos valores de la fluencia del láser y dos valores de la temperatura del substrato. Estas películas fueron caracterizadas por Microscopia de Fuerza Atómica (AFM) y espectroscopia Raman. La
rugosidad de las películas depende tanto de la presión del gas de trabajo como de la temperatura del substrato, sus estructuras son amorfas presentando los picos D y G, típicos de las estructuras tipo fulereno. We have growth Carbon nitride (CNx) thin films by Pulsed Laser Deposition (PLD), on graphite target of high-purity and silicon substrate. The films were growth in a nitrogen ambient gas at different gas pressure, two values of fluence
laser and two values of substrate temperature. Thin Films were characterized by Atomic Force Microscopy (AFM) and Raman Spectroscopy. AFM analysis reveals that the surface roughness depends of gas pressure and temperature
substrate and, Raman analysis films shows an amorphous structure and doublepeak arrangement, D and G, typically of a fullerene-like microstructure.