dc.contributorCASTILLO, SANTOS JESUS; 31337
dc.creatorLOMELI GALAZ, LUIS IGNACIO; 366597
dc.creatorLOMELI GALAZ, LUIS IGNACIO
dc.date2013-06
dc.date.accessioned2023-07-17T23:19:47Z
dc.date.available2023-07-17T23:19:47Z
dc.identifier1301285
dc.identifierhttp://www.repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/811
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7551461
dc.descriptionTesis de maestría en ciencias especialidad física
dc.descriptionEn resumen, este trabajo de tesis presenta el resultado del estudio del material semiconductor (CdTe) depositado por la técnica de ablación por láser pulsado (PLD) variando 3 tipos diferentes de sustratos (Dieléctricos/HD Si) para la posterior aplicación del mismo en dispositivos electrónicos.
dc.descriptionUniversidad de Sonora. División de Ciencias Exactas y Naturales. Departamento de Investigación en Física, 2013.
dc.formatPDF
dc.publisherLOMELI GALAZ, LUIS IGNACIO
dc.subjectSÍNTESIS QUÍMICA
dc.subjectQC176.83 .L64
dc.subjectPelículas delgadas
dc.subjectSemiconductores
dc.titleElaboración y estudio de películas delgadas de CdTe sobre tres sustratos compuestos, SiO2/HD Si, Al2O3/HD Si, HfO2/HD Si: mediante la técnica de ablación por laser pulsado


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