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Estudio de películas delgadas de CdS dopado con Sb2S3 por la técnica de PLD, para su potencial aplicación en dispositivos electrónicos

dc.contributorQUEVEDO LOPEZ, MANUEL ANGEL; 122619
dc.creatorSALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH; 502225
dc.creatorSALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH
dc.date2014-10
dc.date.accessioned2023-07-17T23:09:14Z
dc.date.available2023-07-17T23:09:14Z
dc.identifier1803153
dc.identifierhttp://www.repositorioinstitucional.uson.mx/handle/unison/559
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7547173
dc.descriptionTesis de maestría en nanotecnología
dc.descriptionEn este trabajo se realizó la fabricación de películas delgadas de sulfuro de cadmio por el método de depósito por láser pulsado y posteriormente se doparon con Sb2S3 por la técnica de co-depósito en el mismo equipo sobre sustratos de vidrio y silicio mecánico. Los depósitos fueron realizados a una temperatura de 100°C y 350°C mismos que después fueron sometidos a un tratamiento térmico a 150°C y 400°C respectivamente en un ambiente de Hidrógeno-Nitrógeno conocido como gas formante por 1 hora. Los dopajes se realizaron con valores de 0, 1, 3, 5, 7 y 10%. El análisis de las propiedades físicas, químicas, eléctricas y ópticas de las películas se realizó utilizando los métodos de: difracción de rayos X, espectroscopía fotoelectrónica de rayos X, absorción ultravioleta visible, microscopía electrónica de barrido, mediciones de corriente-voltaje por el método de 4 puntas. Los resultados obtenidos mostraron que se obtuvieron películas delgadas uniformes con espesores de aproximadamente 100 nanómetros y con ambas estructuras cristalinas típicas del CdS, cúbica y hexagonal, la resistencia del material semiconductor disminuyó conforme se aumentó la concentración de dopaje mientras que la banda prohibida aumentó. Se fabricaron transistores de película delgada canal N usando la técnica de máscara de sombra con una estructura compuerta inferior, contacto superior, utilizando óxido de hafnio como dieléctrico de compuerta, depositado por la técnica de depósito en capas atómicas.
dc.descriptionUniversidad de Sonora. Departamento de Física, 2014
dc.formatpdf
dc.publisherSALGADO MEZA, MICHELLE JUDITH
dc.subjectFÍSICA DEL ESTADO SÓLIDO. LÁMINA DELGADA
dc.subjectQC176.83 .S24
dc.subjectPelículas delgadas
dc.subjectSemiconductores
dc.titleEstudio de películas delgadas de CdS dopado con Sb2S3 por la técnica de PLD, para su potencial aplicación en dispositivos electrónicos


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