Estudio óptico de la interfase del ZnSe crecido epitaxialmente por MBE sobre GaAs

dc.creatorMARTHA ELENA CONSTANTINO GUTIERREZ;20239
dc.creatorConstantino Gutiérrez, Martha Elena;20239
dc.date2015-03-18T17:08:44Z
dc.date2015-03-18T17:08:44Z
dc.date1995-12
dc.date.accessioned2023-07-17T20:30:18Z
dc.date.available2023-07-17T20:30:18Z
dc.identifierhttps://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/3241
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7516438
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad de Ciencias
dc.relationInvestigadores
dc.relationEstudiantes
dc.relationversión publicada
dc.relationREPOSITORIO NACIONAL CONACYT
dc.rightsAcceso Abierto
dc.rightsAcceso abierto
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subjectInterfase ZnSe/GaAs
dc.subject1 CIENCIAS FISICO MATEMATICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA
dc.titleEstudio óptico de la interfase del ZnSe crecido epitaxialmente por MBE sobre GaAs
dc.typeTesis de Maestria


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