| dc.contributor | Balderas Navarro, Raúl Eduardo | |
| dc.contributor | raul balderas;0000-0003-1324-172X | |
| dc.creator | JORGE ALFONSO ALARCON MARTINEZ;861334 | |
| dc.creator | Alarcón Martínez, Jorge Alfonso | |
| dc.date | 2022-10-17T18:38:52Z | |
| dc.date | 2022-10-17T18:38:52Z | |
| dc.date | 2019 | |
| dc.date.accessioned | 2023-07-17T20:29:03Z | |
| dc.date.available | 2023-07-17T20:29:03Z | |
| dc.identifier | https://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/7987 | |
| dc.identifier.uri | https://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7515834 | |
| dc.description | En el presente trabajo de tesis se describe a detalle el principio de medición de un sistema de elipsometría, partiendo de los elementos más básicos como lo son las ecuaciones de Maxwell y ondas electromagnéticas. Para esto, se considera todo el fenómeno físico involucrado en la medición de la función dieléctrica compleja y de esta manera estudiar las propiedades ópticas de estructuras semiconductoras. Con los elementos ópticos básicos que conforman un sistema de elipsometría (polarizador, analizador y compensador), se logró la implementación de un arreglo óptico capaz de realizar espectroscopía elipsométrica en el rango de luz visible-ultravioleta. Se requirieron numerosas pruebas, así como su calibración correspondiente para poder establecer el sistema de manera óptima y reproducible. Los espectros obtenidos en el sistema implementado fueron comparados con los que se obtienen con equipos comerciales de las mismas muestras y bajo las mismas condiciones de medición; esto con la finalidad de validar el presente trabajo y poder asegurar así que las mediciones rutinarias sean de buena calidad y reproducibles para futuros trabajos. Se midieron un número de muestras semiconductoras: cristales de silico, GaAs, GaSb, películas delgadas de MoS2 crecidas sobre substratos de zafiro, así como rejillas de difracción basadas en InP. | |
| dc.description | Investigadores | |
| dc.description | Estudiantes | |
| dc.format | application/pdf | |
| dc.language | Español | |
| dc.publisher | Facultad de Ciencias - UASLP | |
| dc.relation | REPOSITORIO NACIONAL CONACYT | |
| dc.rights | Acceso Abierto | |
| dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0 | |
| dc.subject | elipsometría | |
| dc.subject | CIENCIAS FÍSICO MATEMATICAS Y CIENCIAS DE LA TIERRA | |
| dc.subject | INGENIERÍA Y TECNOLOGÍA | |
| dc.title | Elipsometría para el estudio óptico de estructuras semiconductoras | |
| dc.type | Tesis de Maestría | |
| dc.coverage | México. San Luis Potosí. San Luis Potosí. | |
