Construcción de heteroestructuras láser de AlxGal-x As/GaAs por epitaxia en fase líquida

dc.creatorHECTOR ALFONSO CASTILLO MATADAMAS;98566
dc.creatorCastillo Matadamas, Héctor Alfonso;98566
dc.date2014-08-04T15:48:51Z
dc.date2014-08-04T15:48:51Z
dc.date2002
dc.date2002
dc.date.accessioned2023-07-17T20:28:43Z
dc.date.available2023-07-17T20:28:43Z
dc.identifierMaestría en Ingeniería Eléctrica
dc.identifierhttps://repositorioinstitucional.uaslp.mx/xmlui/handle/i/2424
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7515674
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad de Ingeniería
dc.relationInvestigadores
dc.relationEstudiantes
dc.relationversión publicada
dc.relationREPOSITORIO NACIONAL CONACYT
dc.rightsAcceso abierto
dc.rightsAcceso abierto
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0
dc.subject7 INGENIERIA Y TECNOLOGIA
dc.titleConstrucción de heteroestructuras láser de AlxGal-x As/GaAs por epitaxia en fase líquida
dc.typeTesis de Maestria


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