Caracterización de películas semiconductoras de inxga1-xn en fase cúbica por medio de fotoluminiscencia

dc.creatorFavela López, Juan Jazziel
dc.date.accessioned2023-05-15T17:31:03Z
dc.date.accessioned2023-07-12T13:58:31Z
dc.date.available2023-05-15T17:31:03Z
dc.date.available2023-07-12T13:58:31Z
dc.date.created2023-05-15T17:31:03Z
dc.date.issued2022-02
dc.identifierAPA
dc.identifierhttp://repositorio.uas.edu.mx/jspui/handle/DGB_UAS/215
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7389222
dc.description.abstractLas investigaciones de estructuras semiconductoras son las bases para el desarrollo tecnológico de dispositivos, tales como diodos emisores de luz, láseres y celdas solares, son esenciales para la mayoría de las aplicaciones tecnológicas que utilizamos hoy en día. Este trabajo presenta un estudio de películas de InGaN en fase cúbica crecidas por la técnica de epitaxia de haces moleculares sobre sustratos de GaAs. Las películas fueron crecidas variando las temperaturas del sustrato y de la celda de indio para conseguir que estas películas tuvieran un band gap óptico en la región del verde del espectro.
dc.languagees
dc.publisherUniversidad autónoma de Sinaloa
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by-nc-sa/4.0/
dc.rightsOpenAccess
dc.titleCaracterización de películas semiconductoras de inxga1-xn en fase cúbica por medio de fotoluminiscencia
dc.typeTesis de maestría


Este ítem pertenece a la siguiente institución