dc.contributorJiménez Hernández, Mario
dc.contributorDe la Cruz Cartas, Xunaxi Guadalupe
dc.creatorTéllez Galicia, Emilio Antonio
dc.date.accessioned2020-02-12T18:57:32Z
dc.date.accessioned2023-06-28T22:58:04Z
dc.date.available2020-02-12T18:57:32Z
dc.date.available2023-06-28T22:58:04Z
dc.date.created2020-02-12T18:57:32Z
dc.date.issued2020-02-05
dc.identifierTéllez Galicia, Emilio Antonio. (2018). Ecualizador semi paramétrico a transistor (Ingeniería en Comunicaciones y Electrónica). Instituto Politécnico Nacional, Escuela Superior de Ingeniería Mecánica y Eléctrica, Unidad Zacatenco, México.
dc.identifierhttp://tesis.ipn.mx/handle/123456789/27832
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/7132268
dc.description.abstractRESUMEN: Este trabajo de Tesis presenta una manera alterna de disenar un ecualizador semi parametrico basándose en los modelos de Ebers-Moll para la caracterización del transistor como una red de dos puertos y así aprovechar las cualidades del mismo en el diseño de diversos circuitos, que para el presente trabajo resultaron en filtros y amplificadores. Por tratarse de dispositivos semi-conductores, se presenta un riesgo de distorsión armónica en la implementación de los circuitos, que está directamente relacionado con la selección del modelo correcto de transistor, y que afectan de manera directa al desempeño del circuito, además de una delimitación de los puntos de operación en cuanto a consumo de voltaje y corriente por ello para el presente trabajo se presenta una sección donde se explica la elección del modelo de transistor, basándose en las curvas características del dispositivo. Con este método de diseño de filtros activos, se pueden lograr filtros con mayor selectividad, que están relacionados directamente con el orden del filtro y la capacidad de conectar al transistor en modo cascada para as´ı afirmar que los efectos se suman al momento de conectar dos filtros de segundo orden, de tal manera que el producto de dicha unión es un filtro de cuarto orden, con una caída en decibeles más pronunciada. Todo el análisis resultante de los diseños propuestos -tanto amplificadores como Filtros- se efectúo de manera matemática, haciendo uso del análisis por mallas -en el caso de redes circuitales donde no se consideraban las características del transistor- y el modelo de Ebers-Moll -para el caso de los filtros activos-.ABSTRACT: This Thesis work presents an alternative way of designing a semi-parametric EQ based on the Ebers-Moll models for the characterization of the transistor as a two-port network and thus take advantage of its qualities in the design of various circuits, which the present work resulted in filters and amplifiers Being semi-conductor devices, there is a risk of harmonic distortion in the circuits, which is directly related to the selection of the correct transistor model, and which directly affect the performance of the circuit, in addition to a delimitation of the operating points in terms of voltage and current consumption, for this purpose a section is presented explaining the choice of the model of transistor, based on the characteristic curves of the device With this active filter design method, the filters with higher selectivity can be achieved, which are directly related to the order of the filter and the ability to connect to the transistor in cascade mode to affirm that the effects are added when connecting two filters of second order, in such a way that the product of said union is a fourth order filter, with a more pronounced decibel fall. All the analysis resulting from the proposed designs -both amplifiers and filterswas done in a mathematical way, making use of the analysis by meshes -in the case of circuit networks where the characteristics of the transistor were not considered- and in the Ebers-Moll model - for the case of active filters. VI
dc.languagees
dc.subjectEcualizador semi paramétrico
dc.subjectModelos de Ebers-Moll
dc.subjectTransistor
dc.subjectFiltros
dc.subjectAmplificadores
dc.subjectFiltros activos
dc.titleEcualizador semi paramétrico a transistor


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