| dc.creator | Del Angel Lara, Alberto | |
| dc.date | 2016-03-08T17:25:59Z | |
| dc.date | 2016-03-08T17:25:59Z | |
| dc.date | 2014 | |
| dc.date.accessioned | 2017-04-03T16:55:25Z | |
| dc.date.available | 2017-04-03T16:55:25Z | |
| dc.identifier | http://cdigital.uv.mx/handle/123456789/41299 | |
| dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/687389 | |
| dc.description | Tesis de Maestría presentada al Centro de Investigación en Micro y Nanotecnología de la Universidad Veracruzana. Región Veracruz | |
| dc.description | Se han simulado con el software Atlas heteroestructuras basadas en
GaN/InGaN tipo nip y pin con distintos espesores con el fin de conocer el
comportamiento de distintas configuraciones y se utilizó el ZnO como alternativa
al GaN. La razón principal del estudio de éstas heteroestructuras ha sido
conocer el comportamiento de las curvas corriente contra voltaje respecto a las
configuraciones simuladas con distintas dimensiones y por tanto conocer cuál
es la más indicada para su crecimiento tomando en cuenta la dificultad que
conlleva el crecimiento de dispositivos basados en nitruros; por otro lado se
crecieron películas de GaN y ZnO por las técnicas epitaxia de haces
moleculares MBE y erosión catódica (sputtering) respectivamente, además
éstas películas se caracterizaron mediante la técnica de espectroscopía
Raman para analizar los modos de vibración presentes en los distintos
crecimientos. Por otro lado mediante PL se analizaron la presencia de defectos
que se generan en el depósito de películas delgadas de ZnO tipo-n y tipo-p. | |
| dc.language | es | |
| dc.subject | Heteroestructuras | |
| dc.subject | Sistemas de energía fotovoltaica | |
| dc.subject | Películas delgadas | |
| dc.subject | Epitaxia | |
| dc.subject | Espectroscopía de Raman | |
| dc.title | Espectroscopía Raman de películas de GaN y ZnO para aplicaciones fotovoltaicas | |
| dc.type | Tesis | |
