Desarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 V

dc.creatorGonzález-Rolón, Bárbara
dc.creatorIreta-Moreno, Fernando
dc.date2011-08-29
dc.date.accessioned2023-06-20T16:14:46Z
dc.date.available2023-06-20T16:14:46Z
dc.identifierhttps://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/article/view/26985
dc.identifier.urihttps://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/6724350
dc.descriptionEl proceso de fabricación para varistores de media tensión de 13 000 V a 34 000 V de ZnO consistió en dopar con Sb2O3, Bi2O3 y optimizarlos en términos de la composición de inicio, con una relación de Sb2O3/Bi2O3 de 1.7, y el uso de aditivos para cerámicas, la temperatura de sinterizado fue de 1150ºC ± 2ºC. Se investigó la homogeneidad de la microestructura. Se determinaron las propiedades eléctricas mediante la determinación de la gráfica I-V. Las características eléctricas son discutidas.es-ES
dc.formatapplication/pdf
dc.languagespa
dc.publisherFacultad de Ingenieríaes-ES
dc.relationhttps://www.revistas.unam.mx/index.php/ingenieria/article/view/26985/25139
dc.sourceIngeniería Investigación y Tecnología; Vol. 12 Núm. 2 (2011)es-ES
dc.source1405-7743
dc.subjectvaristores-ES
dc.subjectZnOes-ES
dc.subjectmicrostructuraes-ES
dc.subjectdopantees-ES
dc.subjectpropiedades eléctricases-ES
dc.subjecttamaño de granoes-ES
dc.titleDesarrollo y producción de varistores de ZnO dopados para media tensión 13 000 V a 34 000 Ves-ES
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/article
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion


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