| dc.description | El uso y producción energética ineficiente y contaminante, es sin duda alguna uno
de los mayores problemas de la actualidad, construir dispositivos que sean
capaces de producir una buena parte de la energía que consumen es posible si se
poseen los materiales adecuados. Para este propósito se buscan y diseñan
materiales con buenas propiedades termoeléctricas. Este trabajo plantea el
análisis mediante primeros principios de dos materiales poco estudiados para este
propósito, haciendo uso de teoría del funcional de la densidad y ecuación de
transporte de Boltzmann, se estudian las propiedades electrónicas y térmicas del
1H-NbSe2 y el dióxido de vanadio en su fase metálica. Se emplean entonces
diversos softwares como Quantum Espresso, Phonopy, ShengBTE, entre otros.
Para lograr este propósito se realizó en primera instancia cálculos de estructura
cristalina, para luego pasar al cálculo de bandas electrónicas y finalmente obtener
las propiedades termoeléctricas de los materiales. Es importante tener en
consideración que los resultados obtenidos mediante estos métodos son
aproximaciones, si bien en muchos casos se obtienen resultados muy similares a
resultados experimentales, teniendo en consideración las condiciones de borde
utilizadas en los cálculos, así como restricciones prácticas, se espera lograr
resultados aceptables dentro de las incertezas o tolerancias propias del método
empleado. Finalmente se obtuvo para el caso del primer material, una buena
simulación, calculando conductividad térmica, calor especifico, entre otras. En
tanto, la simulación dióxido de vanadio presento errores en el cálculo de modos
vibracionales de la estructura, errores que muy probablemente se deban a las restricciones del cálculo, por ejemplo, en cuanto al tipo de pseudopotencial utilizado. | |
