Se han preparado películas de dióxido de silicio mediante las técnicas de depósito químico en fase de vapor asistido por plasma y asistido por plasma remoto (PECVD y RPECVD, respectivamente). En ambos casos se usaron como materiales fuente SiCl4 y 02. En el caso de RPECVD se usaron como gases diluyentes Ar para el O2 e hidrógeno para el SiCl4. Mientras que en las muestras preparadas por PECVD no se usó ningún gas diluyente. La calidad estructural de las películas depositadas se analizó mediante mediciones de espectroscopia en el infrarrojo, elipsometría, espectroscopia electrónica Auger y tasa de ataque químico. La integridad eléctrica de las muestras se analizó mediante mediciones de corriente - voltaje y capacitancia-voltaje, al preparar estructuras MOS. Se demuestra que, mediante PECVD es posible obtener óxidos de buena calidad a temperaturas de subestrato de 200 oC, siempre que se usen tasas de flujos de gases bajas, que resulten en tasas de depósito bajas. óxidos de buena calidad se obtienen a temperaturas de subestrato en el intervalo de 100 a 200 °C mediante RPECVD, también con tasas de depósito bajas. Las características estructurales y eléctricas de los óxidos preparados son comparables a aquellas reportadas en cuyas preparaciones se usan altas tasas de flujos de gases diluyentes y/o temperaturas de subestrato mayores. Los óxidos preparados en el presente caso tienen las propiedades estructurales y eléctricas que hacen adecuada su aplicación en la tecnología de estructuras electrónicas en película delgada basadas en a- Si:pp.No contiene