Existen muchos cálculos realizados en los llamados dicalcogenuros de metales de transición, los cuales pueden presentar geometrías octaédricas y e prisma trigonal. El 2H-MoTe2, posee seis átomos de Te arreglados en una geometría de prisma trigonal, alrededor del Mo, cuya configuración es d^2. Presenta un comportamiento de material semiconductor, lo cual se atribuye al desdoblamiento y llenado de los orbitales d, para este tipo de geometría. En este trabajo se analizan las propiedades electrónicas del 2H-MoTe2, aplicando el método Hückel extendido-Tight binding, con ello justificamos su comportamiento de semiconductor.The so called dichalcogenides of transition metals, present both octaedrical and trigonal prismatic geometry. The 2H-MoTe2 has six Te atoms around of Mo atom in trigonal prismatic geometry, which configuration is d^2. This compound presents a behavior of semiconductor; it is attributed to splitting and the way in that its orbitals are occupied. In this work we study the electronic properties of the 2H-MoTe2 using the Extended Hückel-Tight Binding method and give light about its semiconductor behavior.