El objetivo principal de este trabajo es la obtención y caracterización de películas delgadas ferroeléctricas del tipo Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3 (PMNT). Las características más relevantes que deben poseer estas películas son: presentar altas permitividades dieléctricas (e), bajas pérdidas dieléctricas (tan 6) y poseer histéresis ferroeléctrica. Además de no presentar fases residuales de pirocloro y minimizar les efectos de degradación ferroeléctrica como son: la fatiga y el envejecimiento ferroeléctrico, la degradación de Ia resistencia, entre otras. Cualquier dispositivo que utilice un material ferroeléctrico requiere la utilización de electrodos. Por esto, la selección de electrodos apropiados es un problema es si mismo. En este trabajo se prepone utilizar Nitruro de Titanio (TiN) como electrodos inferiores para la elaboración de capacitores ferroeléctricos del tipo PMNT. Se realizaron depósitos de PMNT sobre electrodos de Pt y TiN. Contamos con dos muestras diferentes, cuya temperatura de transición se encuentra por debajo [Pb(Mg1/3Nb2/3)0.977Ti0.03O3 (03PMNT)] y por encima [Pb(Mg1/3Nb2/3)0.907Ti0.10O3 (10PMNT)] de la temperatura ambiente. Se observó que es muy difícil obtener fase perovskita cuando se deposita sobre Pt, mientras que sobre TiN:O2 se obtiene fase perovskita a temperaturas inferiores a les 550°C. Se observó además la presencia de nanoestructuras en el caso 03PMNT, las cuales son las responsables de la ferroelectricidad a temperatura ambiente.The main objective of this work is to obtain and characterize ferroelectric thin films of the Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3 (PMNT) compound. The most relevant characteristics that this films must present are: very high dielectric permittivity (e), lovv dielectric losses (tan 6), and show ferroelectric hysteresis. They must also not present residual pyrochlore phases, and the ferroelectric degradation processes as ferroelectric fatigue, aging and resistance degradation, among others, must be as low as possible. Pb(Mg1/3Nb2/3)1-xTixO3 (PMNT) polycrystalline thin films were deposited on titanium nitride substrates at different temperatures by laser ablation, using a wavelength of 248 nm. The PMNT perovskite phase formation was confirmed by X-ray difraction (XRD) analysis. The electrical properties of PMNT thin films were characterized through P-E hysteresis curve and fatigue measurement. The nature of the ferroelectric layer—electrode interface is analyzed by transmission electron microscopy (TEM) as well as the effect of its characteristics in the performance of the multilayer system. The influence of the annealing temperature on the dielectric properties was studied by hysteresis and fatigue measurements.