Arreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)

dc.creatorLópez,Francisco
dc.creatorSoto,Blanca S
dc.creatorZúñiga,Carlos
dc.creatorAlcántara,Salvador
dc.date2011-01-01
dc.date.accessioned2017-03-07T16:35:55Z
dc.date.available2017-03-07T16:35:55Z
dc.identifierhttp://www.scielo.cl/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0718-07642011000300013
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/404343
dc.descriptionSe presenta el diseño e integración en el mismo substrato, de un arreglo de microelectrodos planares y el circuito de lectura implementado en un proceso comercial estándar CMOS (Semiconductor Complementario Metal-Oxido), de 0.6 µm. El diseño incluye el blindaje alrededor del arreglo de microelectrodos y el control del filtro pasabanda a través de la compuerta de transmisión CMOS operando en la región de subumbral. Esto se logra variando el voltaje de compuerta en un rango de 400 a 800 mV para un rango de frecuencia de corte bajo de 1 hasta 1 KHz. El funcionamiento del circuito con polarización de ± 1.5 V dio una ganancia de 40 dB, PSRR (razón de rechazo de la potencia aplicada) de 44 dB y CMRR (razón de rechazo de señales comunes) de 87 dB en un área 0.014 mm² haciéndolo un buen prospecto para la aplicación biológica.
dc.formattext/html
dc.languagees
dc.publisherCentro de Información Tecnológica
dc.sourceInformación tecnológica v.22 n.3 2011
dc.subjectCMOS
dc.subjectmicroelectrodo
dc.subjectcompuerta de transmisión
dc.subjectbipotenciales
dc.subjectfiltro pasabanda
dc.titleArreglo de Microelectrodos Planares con Procesos CMOS Estándar (Semiconductor Complementario Metal-Oxido)
dc.typeArtículos de revistas


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