Estudio De Transiciones Ópticas De Excitones Confinados En Puntos Cuánticos Esféricos En Películas De Ga1-X Inx Asy Sb1-Y/Gasb Fabricadas Por Epitaxia En Fase Líquida

Abstract

La respuesta óptica de estudios por fotorreflectancia y por fotoluminiscencia a 12K de una película de Ga1-xInxAsySb1-y crecida por epitaxia en fase líquida sobre un monocristal de GaSb como sustrato, no muestran el mismo valor de energía fundamental. El pico de fotoluminiscencia presenta corrimiento hacia mayores energies en 20 meV respecto a la respuesta por fotorreflectancia, indicando un posible confinamiento electrónico en algunas partes de la heteroestructura crecida.