dc.contributorAsesor: Nelson Porras M.
dc.creatorSánchez C, Robert
dc.date.accessioned2017-11-15T16:08:47Z
dc.date.accessioned2022-09-29T13:18:04Z
dc.date.available2017-11-15T16:08:47Z
dc.date.available2022-09-29T13:18:04Z
dc.date.created2017-11-15T16:08:47Z
dc.date.issued2009-07-07
dc.identifierhttps://bdigital.uniquindio.edu.co/handle/001/2889
dc.identifier.urihttp://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3754493
dc.description.abstractLa respuesta óptica de estudios por fotorreflectancia y por fotoluminiscencia a 12K de una película de Ga1-xInxAsySb1-y crecida por epitaxia en fase líquida sobre un monocristal de GaSb como sustrato, no muestran el mismo valor de energía fundamental. El pico de fotoluminiscencia presenta corrimiento hacia mayores energies en 20 meV respecto a la respuesta por fotorreflectancia, indicando un posible confinamiento electrónico en algunas partes de la heteroestructura crecida.
dc.languagespa
dc.publisherCiencias Básicas y Tecnologías - Maestría en Ciencias de los Materiales
dc.rightshttps://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/closedAccess
dc.rightsAtribución 4.0 Internacional (CC BY 4.0)
dc.rightsDerechos Reservados - Universidad del Quindío
dc.titleEstudio De Transiciones Ópticas De Excitones Confinados En Puntos Cuánticos Esféricos En Películas De Ga1-X Inx Asy Sb1-Y/Gasb Fabricadas Por Epitaxia En Fase Líquida
dc.typeTesis


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