dc.creator | Dussan, A. | |
dc.date.accessioned | 2019-07-03T16:41:49Z | |
dc.date.accessioned | 2022-09-21T14:13:31Z | |
dc.date.available | 2019-07-03T16:41:49Z | |
dc.date.available | 2022-09-21T14:13:31Z | |
dc.date.created | 2019-07-03T16:41:49Z | |
dc.date.issued | 2006 | |
dc.identifier | https://repositorio.unal.edu.co/handle/unal/73685 | |
dc.identifier | http://bdigital.unal.edu.co/38161/ | |
dc.identifier.uri | http://repositorioslatinoamericanos.uchile.cl/handle/2250/3362123 | |
dc.description.abstract | En este trabajo, se presenta un estudio detallado del método de la conductividad térmicamente estimulada (TSC) para la obtención de la densidad de estados (DOS) a partir de mediciones experimentales. Se obtiene la DOS en muestras de silicio microcristalino dopadas con Boro [μc-Si:H (B)] y se compara con los resultados obtenidos a partir de métodos de fotoconductividad modulada. Para explicar la discrepancia entre la DOS obtenida por TSC y la obtenida por los otros métodos, se muestra a partir de simulaciones que la DOS es muy sensible al error experimental introducido en el cálculo del producto μnτn (movilidad del electrón × tiempo de vida del electrón). | |
dc.description.abstract | In this work, a detailed study of thermally stimulated con- ductivity technique (TSC) is presented. Density of states (DOS) was obtained from the experimental measurements on boron-doped microcrystalline silicon samples [μc-Si:H (B)] and compared with results obtained by the modula- ted photoconductivity methods. To explain the poor agree- ment between the DOS obtained from the TSC and the other methods, it is shown by means of numerical simula- tions that the DOS is very sensitive to experimental errors introduced in the calculation of the μnτn product (mobility of electron × lifetime of the electron). | |
dc.language | spa | |
dc.publisher | Universidad Nacional de Colombia, Bogotá | |
dc.relation | Universidad Nacional de Colombia Revistas electrónicas UN MOMENTO - Revista de Física | |
dc.relation | MOMENTO - Revista de Física | |
dc.relation | MOMENTO - Revista de Física; núm. 32 (2006); 15-27 0121-4470 | |
dc.relation | Dussan, A. (2006) Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. MOMENTO - Revista de Física; núm. 32 (2006); 15-27 0121-4470 . | |
dc.relation | http://revistas.unal.edu.co/index.php/momento/article/view/40599 | |
dc.rights | Atribución-NoComercial 4.0 Internacional | |
dc.rights | http://creativecommons.org/licenses/by-nc/4.0/ | |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
dc.rights | Derechos reservados - Universidad Nacional de Colombia | |
dc.title | Análisis del método de tsc para la obtención de la dos en materiales semiconductores. | |
dc.type | Artículos de revistas | |