Estudio de Aislantes Kondo Topológicos y Sistemas Nanoestructurados

Abstract

En este trabajo se implementa la aproximación X-boson desarrollada con anterioridad para estudiar una clase de materiales topológicos denominados “aislantes topológicos Kondo”, los cuales presentan novedosas e interesantes propiedades para la materia condensada y los sistemas fuertemente correlacionados a bajas energías. La propiedad topológica de estos materiales se produce mediante la competencia entre las fuertes correlaciones del sistema y la interacción espín- órbita. El eje principal de este trabajo es mostrar las condiciones y parámetros que pueden dar lugar a los aislantes Kondo topológicos. Además se estudian propiedades físicas como conductancias, térmica y eléctrica, termopotencia, conductividad óptica y la contribución de baja energía al espectro de fotoemisión de aislantes Kondo topológicos, en particular el compuesto SmB6, teniendo en cuenta la fuerte interacción espín-órbita y la ruptura de simetría de traslación que dan lugar a estados superficiales quirales protegidos topológicamente. Se describe la transición entre los regímenes de valencia intermediaría y Kondo para el modelo de Anderson periódico, a temperaturas intermedias y altas (en comparación a la temperatura Kondo); se emplean las aproximaciones de X-boson (tratamiento de campo medio) y Aproximación Atómica (tratamiento esencialmente analítico del tipo many-body) para obtener las funciones de Green del sistema. Por otro lado se estudian los efectos de polarización de espín en sistemas de puntos cuánticos con diferentes acoplamientos, para analizar el efecto espín-Seebeck; para esto empleamos la Aproximación Atómica para el modelo de la impureza de Anderson.

Abstract: Atomicapproximation (semi-analytical with many body character) to obtain the Green functions.On the other hand, we study the spin polarization effects to analyze the spin-current Seebeckeffect in a quantum dot system, employing the Atomic approximation for the single impurityAnderson model.