Análisis de la presencia de boro en películas de a-Si:H, por espectroscopia infrarroja

Abstract

En este trabajo se presenta el depósito de películas de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H) realizado mediante Depósito Químico en Fase Vapor asistida por Plasma (PECVD). El a-Si:H se ha utilizado en la fabricación de diversos dispositivos optoelectrónicos. El depósito de estas películas se realizó a 270 ºC, sobre sustratos de silicio cristalino, manteniéndose constantes los parámetros de depósito (presión, potencia, frecuencia y razón de flujo del silano) variando únicamente el contenido de diborano a razón de 500, 250, 150 y 50 sccm. Por la técnica de espectroscopia infrarroja por transformada de Fourier (FTIR) en la modalidad de reflectancia especular, se observaron los modos de vibración asociados a los enlaces Si-Si, B-O, Si-O y Si-H, los cuales muestran una variación en intensidad con el contenido de hidrogeno y de Boro, que a su vez están relacionados con las propiedades estructurales y eléctricas respectivamente.