Crecimiento y Caracterización de Aleaciones de AlxGa1-xSb

Abstract

Se crecieron aleaciones ternarias de AlxGa1-xSb sobre substratos de GaSb utilizando la técnica de epitaxia en fase líquida. La caracterización de éste material se realizó utilizando espectroscopia Raman. Los resultados muestran el comportamiento de aleación de dos modos. Estos modos vibracionales son identificados como LO-AlSb y LO-GaSb. Se observa además un desplazamiento en frecuencia y una variación en intensidad de éstos como una función de la composición x de la aleación. Este método lleva a obtener información muy útil sobre propiedades estructurales de la aleación como su composición y calidad cristalina.