dc.contributorALBOR AGUILERA, MARÍA DE LOURDES
dc.contributorVIGÍL GALÁN, OSVALDO
dc.creatorESPÍNDOLA RODRÍGUEZ, MOISÉS
dc.date.accessioned2012-08-02T22:49:19Z
dc.date.available2012-08-02T22:49:19Z
dc.date.created2012-08-02T22:49:19Z
dc.date.issued2012-08-02
dc.identifierhttp://www.repositoriodigital.ipn.mx/handle/123456789/6003
dc.description.abstractEn esta tesis se reportan dos métodos con los cuales es posible crear una región p+ en el CdTe. Las películas delgadas de CdTe se depositaron mediante la técnica CSVT-HW (Close Space Vapour Transport-Hot Wall), por sus siglas en inglés. En ambos casos la región p+ se obtiene depositando Te sobre el CdTe en el CSVT. El primero de los métodos es el que hemos llamado CSVT-Tradicional pues el crisol o chalupa que se utilizó para tal fin es muy parecida en tamaño y forma a las que normalmente se utilizan en el depósito del CdTe y otros materiales. El segundo método que empleamos es llamado CSVT-Modificado, pues en este caso se empleó una cámara de grafito la cual posee compartimientos especiales para el material a evaporar y el sustrato.
dc.languagees
dc.relationTesis 2009;10
dc.subjectCreación región p+ CdTe depósito Te método CSVT Tradicional Modificado
dc.titleCreación de una región p+ en el CdTe, mediante el depósito de Te por el método CSVT Tradicional y Modificado
dc.typeThesis


Este ítem pertenece a la siguiente institución